[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[6p-PA7-6] Si impurities concentration dependence of optical properties of Si-doped GaAsN

〇Ren Hiyoshi¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:GaAsN, PL

GaAsNはN組成に応じてバンドギャップエネルギー(Eg)が大きく非線形的に変化するバンドギャップボウイングという特性を持つ。そのため、GaAs基板上に成長可能なEgの低い材料として、太陽電池やトンネルダイオードへの応用が期待される。しかしながら、p型層に用いられるSiドープ GaAsNの光学的特性に関してはほとんど報告例がない。そこで、本研究では、RF-MBE法によってSiドープ GaAsNを成長し、PL測定を用いて、GaAsN層の光学的特性を評価した。