[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-6] SiドープGaAsNの光学特性のSi不純物濃度依存性

〇日吉 連¹ (1.早稲田大先進理工)

キーワード：GaAsN、PL

GaAsNはN組成に応じてバンドギャップエネルギー(Eg)が大きく非線形的に変化するバンドギャップボウイングという特性を持つ。そのため、GaAs基板上に成長可能なEgの低い材料として、太陽電池やトンネルダイオードへの応用が期待される。しかしながら、p型層に用いられるSiドープ GaAsNの光学的特性に関してはほとんど報告例がない。そこで、本研究では、RF-MBE法によってSiドープ GaAsNを成長し、PL測定を用いて、GaAsN層の光学的特性を評価した。