[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-8] GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製

〇町田 龍人¹、赤羽 浩一²、渡邊 一世²、原 紳介²、藤川 紗千恵¹、笠松 章史²、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：GaSb、Si、MBE