[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-1] Crystal evaluation for AlGaN-channel 2DEG heterostructures
~Relationship between interface roughness and initial growth condition of AlGaN films~

〇Daiki Hosomi¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:AlGaN-channel, power device

InAlN/AlGaN HFET構造の移動度改善には，ヘテロ界面平坦性の向上が有効である。前回，我々は，再成長AlN層の導入により平坦な界面を有するInAlN/AlGaN HFET構造の成長が可能になることを報告した。今回，AFMとTEMを用いてこの再成長AlN層の解析を行ったので報告する。