2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年9月6日(水) 16:00 〜 18:00 PA8 (国際センター1F)

16:00 〜 18:00

[6p-PA8-10] 放射光XRD・HAXPESによるAl/Ti/AlGaNの界面反応層の結晶構造及び化学結合状態評価

安野 聡1、小金澤 智之1、鈴木 貴之2、岩田 直高2 (1.高輝度光科学研究セ、2.豊田工大)

キーワード:AlGaN、放射光分析

熱処理により形成されるAl/Ti/AlGaNの界面反応層の化学結合状態と結晶配向性についてHAXPESと2次元検出器を用いたXRD法による評価を行った。XRDの結果から、熱処理によって基板法線方向と面内配向したTiN及びTi2AlNが形成されることがわかった。HAXPESからは熱処理よって界面近傍にGaメタル成分が存在することなどがわかった。