[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-11] Properties of SiO₂/InAlN interface having ultrathin Al₂O₃ interlayer

〇Shouhei Kitajima¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ)

Keywords:InAlN, interface state density

GaNとの格子整合が可能なInAlNは、GaN系HEMTのバリア材料として有用である。InAlNのHEMTへの応用において、絶縁膜を導入しMOSゲートとすることでリーク電流の低減、さらには400 GHzの遮断周波数が達成されている。しかし、デバイス性能を高めるうえで重要な、絶縁体－半導体界面の制御方法は確立されていない。我々は、SiO₂とInAlNの界面を制御する方法として、Al₂O₃超薄膜層の挿入を検討している。本報告では、Al₂O₃超薄膜挿入層の膜厚が数原子層でも、界面準位の低減に有効であることを報告する。