[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-20] N極性Mgドープp型GaNの光電流DLTS評価

〇(M1)鈴木 秀明¹、寺島 勝哉¹、及川 峻梧¹、野々田 亮平²、谷川 智之²、松岡 隆志²、岡本 浩¹ (1.弘前大理工、2.東北大金研)

キーワード：GaN、MCTS、Mgドーピング

これまでにN極性p型GaNのMgドーピング特性を報告している。本報告では光電流DLTS測定（MCTS測定）によって少数キャリアトラップの評価を試みた。Mg/Ga比が異なる試料を評価した結果、Mg/Ga比の増分に対して正孔密度が飽和または減少している試料においては高温側にブロードで大きなピークが検出された。この少数キャリアトラップがMgの高ドープ時に自己補償を引き起こす要因となっている可能性がある。