[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [6p-PA8-8] AlxGa1-xN/GaN MOS-HEMT のゲート制御特性評価

〇(M1)安藤 祐次¹、金木 奨太¹、西口 賢弥¹、橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ