[6p-PA9-1~26] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[6p-PA9-14] Electrical conductivity of DC biased inorganic electroluminescence based on Cu₂O semiconductor 2.

〇(M1)Kenta Murakami¹, Kunitoshi Yanagihara¹, Miura Noboru¹ (1.Meiji Univ.)

Keywords:DC EL, oxide semiconductor, Cu2O

直流無機 EL において、ホットエレクトロンを生成、加速し発光中心を励起させるためには安定に高電界を印加する必要がある。素子中の電流を制御し高電界を蛍光体に印加するため半導体薄膜のバンド障壁を利用した素子の作製に取り込んだ。銅板を熱酸化させた亜酸化銅シートが比較的良好な p 型伝導を示し、これを用いたEL 素子の作製を行なったが、発光中心の添加位置や素子の作製手順により特性に違いがあることがわかった。