2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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[6p-PA9-1~26] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年9月6日(水) 16:00 〜 18:00 PA9 (国際センター1F)

16:00 〜 18:00

[6p-PA9-21] ZnIn2S4半導体結晶の育成と光学特性

〇(M2)齋藤 瑛1、尾崎 俊二1 (1.群馬大理工)

キーワード:ZnIn2S4

II-III-VI族化合物半導体は、化合物半導体薄膜太陽電池において光電変換層を構成するバッファ層として注目されている。しかし、研究報告例は少なく、基礎電子物性は不明である。本研究ではZnIn2S4結晶を育成し、光学特性の評価を行った。