[6p-PA9-1~26] 13.9 光物性・発光デバイス

[6p-PA9-22] GaAs量子リングの位相緩和時間測定

〇山下 勇真¹、池沢 道男¹、Seongho Park²、Kwangseuk Kyhm²、Jindong Song³ (1.筑波大物理、2.釜山大学校、3.韓国科学技術研究所)

キーワード：量子リング、位相緩和時間

半導体量子リングはAB効果のような独特な性質を持つ。また、リム高に異方性を持つ火山型の構造をしており、それに起因する鉛直方向の量子数k=1,2,3の異なる束縛状態が存在する。これにより局在状態の励起子と非局在状態の励起子、さらには励起子分子の発光が観察される。しかし、この量子構造において位相緩和時間(T2)の研究はあまり行われてこなかった。そこで、今回単一のQRからの発光の干渉測定を行い、T2を求めたので報告する。