[6p-PA9-1~26] 13.9 光物性・発光デバイス

[6p-PA9-23] (775)B球面ディンプルGaAs基板上にMBE成長したGaAs/InGaAs 量子井戸の光学的特性

〇(M1)佐々木 大志¹、橋本 飛鳥¹、下村 哲¹ (1.愛大院理工学研究科)

キーワード：GaAs/InGaAs、発光特性

GaAs/InGaAs 量子細線用の基板として(775)B面以外にも優れた面がある可能性があり、探索する必要がある。本研究では、 (775)B基板に球面ディンプルを形成し、その上にInGaAs量子井戸を作製した。ディンプル上の発光特性の場所依存性はそのまま基板方位依存性となるため、発光特性の基板方位依存性を詳細に調べることが可能になる。