[6p-S44-1~21] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[6p-S44-9] Formation of High-Order Structure of Silicon Quantum Dots by Metal Ions

〇Yuki Ohata¹, Hiroshi Sugimoto¹, Minoru Fujii¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:assembly, Metal ion, Semiconductor Quantum Dot

リン、ホウ素の高濃度ドーピングにより、極性溶媒中で高い分散性を示す全無機シリコン量子ドットと金属イオン（Zn²⁺,Ni²⁺,Mn²⁺等）を混合することにより量子ドット間を金属イオンにより架橋し、シリコン量子ドット1次元配列構造の形成を試みる。異なる粒径（4,7,15,70 nm）や表面状態のシリコン量子ドットについて、電気陰性度の異なる様々な種類の金属イオンを用いて高次構造を形成した結果を示す。またその光学特性評価に関しても報告する。