[7a-A201-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[7a-A201-7] Evaluation of dopant concentration of SiC epitaxial film using Scanning Non-linear Dielectric Microscope

〇Keiichi Yamada^1,2, Yasuyuki Kawada^1,3, Shiyang Ji¹, Junji Senzaki¹, Ryouji Kosugi¹, Yoshiyuki Yonezawa¹, Kazutoshi Kojima¹, Hajime Okumura¹ (1.aist, 2.Toray Research Center, 3.Fuji electric)

Keywords:SiC, SNDM

SiCデバイスの更なる高性能化においては、ドーパントの精密制御が重要である。超接合（SJ）素子ではn、pカラム層のチャージバランス制御が必須であり、各カラム内のドーパント濃度及びその分布を正確に把握する必要がある。本研究ではSiC-SJ素子の濃度評価技術確立を目的とし、SNDMを用いたp型SiCエピ膜のアクセプタ濃度（N_A-N_D）の絶対値評価について検討したので報告する。