[7a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[7a-A201-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiCエピ膜の不純物濃度評価

〇山田 敬一^1,2、河田 泰之^1,3、紀 世陽¹、先崎 純寿¹、小杉 亮治¹、米澤 喜幸¹、児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.富士電機)

キーワード：SiC、SNDM

SiCデバイスの更なる高性能化においては、ドーパントの精密制御が重要である。超接合（SJ）素子ではn、pカラム層のチャージバランス制御が必須であり、各カラム内のドーパント濃度及びその分布を正確に把握する必要がある。本研究ではSiC-SJ素子の濃度評価技術確立を目的とし、SNDMを用いたp型SiCエピ膜のアクセプタ濃度（N_A-N_D）の絶対値評価について検討したので報告する。