[7a-A202-1~8] 6.3 Oxide electronics

[7a-A202-2] Current-voltage characteristics of (Ti_0.4V_0.6)O₂/TiO₂:Nb (001) interfaces

〇Yuki Suga¹, Fumiya Yoshii¹, Yuka Matsuura¹, Kensei Terashima², Takanori Wakita², Takayoshi Yokoya², Yuji Muraoka² (1.Okayama Univ., 2.Okayama Univ. RIIS)

Keywords:interface

TiO2-VO2系では興味深い現象が報告されている。VO2膜をルチル型TiO2:Nb (001) 基板上に作製(VO2/TiO2:Nb(001))すると、その界面に接合が形成される。また、(Ti0.4V0.6)O2/TiO2(001)膜ではスピノーダル分解によって[001]方向にTi-rich相とV-rich相がナノスケールで交互に積層した多層膜が生成する。本発表では第一歩として多層膜作製の出発物質である(Ti0.4V0.6)O2/TiO2:Nb(001)固溶体膜について界面特性を調べる。I-V測定の結果、(Ti0.4V0.6)O2/TiO2:Nbでは明瞭な整流性は観測されず、界面で接合が形成されていないことが分かった。VO2/TiO2:Nb の場合とは異なっている。講演では両者の界面特性の違いをバンド構造の観点から議論したい。