[7a-A203-1~12] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [7a-A203-7] アルキルフタロシアニン配向薄膜を用いた電界効果トランジスタの作製とカラムナー構造に基づく電気的異方性評価

〇大森 雅志¹、中谷 光宏¹、梶井 博武¹、藤井 彰彦¹、尾崎 雅則¹ (1.阪大院工)

キーワード：配向薄膜、アルキルフタロシアニン、電界効果トランジスタ

バーコート法により作製したフタロシアニン誘導体C6PcH₂の配向薄膜を用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製した。偏光顕微鏡観察により広範囲の一様な配向が得られ、原子間力顕微鏡観察により分子レベルで膜厚が制御された平坦な薄膜が形成されていることを明らかにした。FETの伝達特性よりカラム軸方向にカラム間方向の8倍の移動度を示すことを明らかにし、密度汎関数理論を用いたシミュレーションにより実験結果を再現した。