[7a-A204-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[7a-A204-6] PID試験中における結晶Si太陽電池モジュール内部の電界及び電流解析

〇橘 泰至¹、豊田 丈紫¹、南川 俊治¹、原 由希子²、増田 淳² (1.石川工試、2.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、解析、電流密度

PIDを想定した電圧を結晶Si太陽電池に印加した際のモジュール内部の電界及び電流を解析した。解析より、セル端部において電流密度が高くなり、セル端部近辺のEVAにおいて電界強度が強くなる解析結果を得た。これらの結果は、セル端部でPIDが生じ易いことや、セル端部からPIDが発生し、進行する可能性を示唆する。