[7a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7a-A301-9] 不純物添加GaNの位置選択エピ成長技術の開発

〇上野 耕平¹、今別府 秀行¹、小林 篤¹、太田 実雄^1,2、藤岡 洋^1,3 (1.東大生研、2.JST-PRESTO、3.JST-ACCEL)

キーワード：スパッタリング、GaN