[7a-A405-1~10] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

[7a-A405-5] 高出力ホモ接合シリコンレーザーの作製(2)

〇川添 忠¹、橋本 和信²、杉浦 聡²、大津 元一³ (1.電機大、2.NPEO、3.東大工)

キーワード：ナノフォトニクス、レーザー、シリコン

今回、このDPPアニールの効果を大きくするためにこれまで用いていたドーパント種を変更し、原子の質量数のSiとの違いがより大きな新しいドーパントを用いてSiレーザーを作製した。その結果、これまでよりも低い電圧において、DPPアニールの進捗を示す負性抵抗特性が現れることが分かった。発表では新しく作製した素子の光出力特性等に関して報告を行う。