[7a-A412-1~7] 6.2 Carbon-based thin films

△ [7a-A412-5] Boron-doped diamond Josephson junction by intermittent (111) single crystalline layer

〇(B)Shotaro Amano¹, Taisuke Kageura¹, Masakuni Hideko¹, Ikuto Tsuyuzaki¹, Hirotaka Oosato², Daiju Tsuya², Yosuke Sasama², Takahide Yamaguchi², Yoshihiko Takano², Minoru Tachiki², Shuuichi Ooi², Kazuto Hirata², Shunichi Arisawa², Hiroshi Kawarada^1,3 (1.Waseda Univ., 2.NIMS, 3.Zaikenn)

Keywords:diamond, superconductivity, Josephson

高濃度ボロンドープダイヤモンドは超伝導材料として用いられているNb系に匹敵する超伝導転移温度T_​Cを有し、かつ堅牢性も備えている。我々は先行研究によりステップエッジ構造ジョセフソン接合を作製し、SQUIDの動作実証に成功したが、(001)面(T_​​C=4K)を含むため、動作温度が4K以下となる。本研究では (111)面(T_C=10K)のみを利用したジョセフソン接合の作製手法の検討及び評価を行い、不連続面を生かした接合では6.5Kでの超伝導転移を観測した。