[7a-A414-1~8] 13.9 光物性・発光デバイス

[7a-A414-1] PL発光強度増大化へのSi(111)基板上β-FeSi₂成長の低温度化検討

〇秋山 賢輔^1,2、松本 佳久¹、舟窪 浩² (1.神奈川産技総研、2.東工大物質理工)

キーワード：鉄シリサイド、フォトルミネッセンス

本研究では700℃程度でもβ-FeSi₂のエピタキシャル成長が可能なSi(111)基板上に銀層を導入し、その後に成長したβ-FeSi₂膜のPL発光特性の成長温度依存性を調査した。その結果、成長温度が700^oCにおいて255KでのA-バンドの強度は最大となり、その値はSi(100)基板上薄膜のデータよりも約5倍大きいことが確認された。これらの結果からβ-FeSi₂薄膜内部の非輻射再結合中心の密度が熱平衡濃度と結晶品質に影響されることが示唆された。