11:30 〜 11:45
△ [7a-A414-8] 単層WSe2/MoTe2ヘテロ構造の光学的性質
キーワード:単層遷移金属ダイカルコゲナイド、半導体ヘテロ構造
単層遷移金属ダイカルコゲナイドの単層WSe2と単層MoTe2から成るタイプIと思われるヘテロ構造の光学特性を測定した。差分反射スペクトルから、WSe2由来のピークのレッドシフトと線幅の増大が観測された。この得られた結果から、電子状態の変調について議論する。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス
2017年9月7日(木) 09:45 〜 11:45 A414 (414)
篠崎 健二(産総研)
11:30 〜 11:45
キーワード:単層遷移金属ダイカルコゲナイド、半導体ヘテロ構造