[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-1] 中間層を設けたIII-V/SOIハイブリッドデバイスとSi細線導波路間モード変換器における結合効率のテーパ構造依存性

〇鈴木 純一¹、永坂 久美¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大未来研)

キーワード：シリコンフォトニクス、ハイブリッド集積、直接接合技術

ウェハ直接接合技術を用いたIII-V/SOIハイブリッドデバイスにおいて、異なる2つのモードを持つIII-V/SOIハイブリッド領域とSi導波路部の高効率結合には、なだらかな屈折率変化が必要であるためにテーパ構造を用いることが一般的であるが、その際のテーパ先端の鋭角度が結合効率に強く影響する。今回、デバイス作製時のテーパ先端幅許容度向上を、目指し、接合界面に中間層を導入することによる結合効率のテーパ構造依存性について検討を行った。