[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

△ [7a-A504-10] Si上半導体薄膜DRレーザの高効率・高速変調特性

〇中村 なぎさ¹、冨安 高弘^1,2、平谷 拓生^1,3、井上 大輔¹、福田 快¹、瓜生 達也¹、雨宮 智宏^1,4、西山 伸彦^1,4、荒井 滋久^1,4 (1.東工大工、2.古河電工、3.住友電工、4.東工大科創研)

キーワード：薄膜

オンチップ光配線の実現には、低電流駆動かつ高速直接変調動作が可能な極低消費電力半導体レーザが必要である。この要求を満たすため、我々は半導体薄膜DFB・DRレーザを提案・実現してきた。本研究では薄膜DRレーザにおいて高効率かつ高速動作を実現したので、ご報告する。