[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 & 3.15 Code-sharing session

[7a-A504-12] Membrane-based GaInAs/InP p-i-n photodiode fabricated on Si substrate

〇ZhiChen Gu¹, Tatsuya Uryu¹, Nagisa Nakamura¹, Daisuke Inoue¹, Tomohiro Amemiya¹, Nobuhiko Nishiyama¹, Shigehisa Arai¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Semiconductor, Photodiode, Optical interconnect

近年のLSI内素子の微細化に伴う問題の解決策として、光配線が注目されている。そこで我々は、半導体薄膜光集積回路をLSI上にハイブリッド実装する技術を提案しており、光源をはじめとした一連の光素子の研究を行っている[1-3]。中でも、光検出器は、回路全体の性能を律速する要因にもなっており、高速化・高感度化を同時に実現するような構造が強く望まれている。
今回、Si上集積型GaInAs吸収層薄膜p-i-nフォトダイオード（PD）を試作し、その感度特性の評価を行ったのでご報告する。