[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 & 3.15 Code-sharing session

[7a-A504-8] Room temperature lasing of 1.5µm wavelength GaInAsP stripe laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇Kazuki Uchida¹, Naoki Kamada¹, Yuya Onuki¹, Xu Han¹, Gandhi Kallarasan Periyanayagam¹, Hirokazu Sugiyama¹, Masaki Aikawa¹, Natsuki Hayasaka¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:InP/Si, directly bonding, laser diode

今後データ通信量は爆発的に拡大すると考えられている．その為，データセンター等で使用される大規模集積回路は，通信量の負荷に耐えられなくてはならない．そこで，大規模集積回路の電気配線部分を光配線にすることで高速大容量通信を低消費電力で実現する光インターコネクションという考え方が台頭してきた．それに対し我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に貼り合せたInP/Si基板を作製し，この基板上にMOVPE法を用いることで光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた．今回，InP/Si基板上において，波長1.5µm帯での発振を狙ったGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い，さらに閾値電流値の低減を狙いストライプ構造の作製を行い，電流注入による室温発振特性の評価を行った．またInP基板上に成長した，同様のストライプレーザの特性と比較したのでその結果を報告する．