[7a-A504-1~12] 【CS.6】3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[7a-A504-9] Si基板上薄膜分布反射型レーザのNRZ及びPAM-4直接変調

〇瓜生 達也¹、西山 伸彦^1,2、平谷 拓生^1,3、井上 大輔¹、雨宮 智宏^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大未来研、3.住電)

キーワード：半導体レーザ、DRレーザ、PAM-4

短距離光通信に向けた極低消費電力動作が可能な半導体レーザ直接変調光源として、半導体薄膜レーザを提案している。これまでに薄膜DFBレーザの高速直接変調 、薄膜DRレーザの高効率動作を実現してきた。今回、散乱損失の低減を目的として回折格子結合効率を低減した薄膜DRレーザのNon-return-to-zero （NRZ）信号変調及び4値パルス振幅変調（PAM-4）信号を用いた直接変調を行い、アイダイアグラムを得たのでご報告する。