[7a-C16-1~12] 17.2 Graphene

△ [7a-C16-12] Grpahene nanoribbon FET characteristic change due to edge-disorder

〇(D)Kengo Takashima¹, Yamamoto Takahiro¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:Graphene, Device, Simulation

グラフェンナノリボンは優れた電気伝導特性からＦＥＴチャネル材料として注目されている。しかし、現在の技術では作製する際に端欠損を防ぐことが難しい。そこで、端欠損がデバイス特性に及ぼす影響について量子力学に基づく数値計算を行った。その結果、欠損濃度が大きくなると、デバイス特性の平均値は悪化し、性能バラつきが顕著になった。しかし、中には無欠陥のものより、性能が向上するラフネス配置があることが分かった。