[7a-C16-1~12] 17.2 グラフェン

[7a-C16-3] 層状エレクトライド上のグラフェン：van Hove特異点に到る高濃度電子ドーピング

〇井下 猛^1,2、塚田 捷³、斎藤 晋¹、細野 秀雄¹ (1.東工大、2.物材機構、3.東北大)

キーワード：ナノカーボン、低次元物質、エレクトライド

層状エレクトライドCa₂N上にグラフェンを積層した系の電子状態を密度汎関数法により調べた。Ca₂Nでは結晶の外側に表面状態が形成されるが、グラフェンの積層によりほぼ全ての表面外電子がグラフェンに移り、後者は5x10¹⁴ cm^-2という高濃度にnドープされることが分かった。フェルミ準位は状態密度の対数発散点（ファンホーブ特異点）に達する。