2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7a-C17-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C17 (研修室2)

西中 浩之(京都工繊大)

10:00 〜 10:15

[7a-C17-5] 窒素添加結晶化法による格子不整合基板上へのZnOエピタキシャル成長―窒素酸素共添加バッファー層の効果―

呂 佳豪1、岩崎 和也1、山下 大輔1、徐 鉉雄1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九州大学)

キーワード:酸化亜鉛、スパッタリング