[7a-C17-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [7a-C17-5] 窒素添加結晶化法による格子不整合基板上へのZnOエピタキシャル成長―窒素酸素共添加バッファー層の効果―

〇呂 佳豪¹、岩崎 和也¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九州大学)

キーワード：酸化亜鉛、スパッタリング