The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7a-C17-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 7, 2017 9:00 AM - 12:15 PM C17 (Training Room 2)

Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.)

10:45 AM - 11:00 AM

[7a-C17-7] Sputter-fabrication of high-quality ZnO films on Si(111) substrates via nitrogen mediated crystallization

Kazuya Iwasaki1, Jiahao Lyu1, Daisuke Yamashita1, Hyunwoong Seo1, Kazunori Koga1, Masaharu Shiratani1, Naho Itagaki1 (1.Kyushu Univ.)

Keywords:zinc oxide, sputtering

最近我々はZnO膜のスパッタエピタキシー法として新たに窒素添加結晶化法を開発し,超平坦表面を有し,且つ,面内・面外ともに結晶軸が揃った高密度3次元島を有する薄膜をバッファー層として用いることで,従来困難であった格子不整合率18%であるc面サファイア基板上への単結晶ZnO膜の作製に成功した.本研究では上記手法をSi(111)基板上に展開し,結晶性および表面平坦性に優れたZnO膜を形成することに成功したので報告する.