[7a-C17-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [7a-C17-7] 窒素添加スパッタリング法を用いたSi(111)基板上への高品質ZnO薄膜の作製

〇岩崎 和也¹、呂 佳豪¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九州大学)

キーワード：酸化亜鉛、スパッタリング

最近我々はZnO膜のスパッタエピタキシー法として新たに窒素添加結晶化法を開発し，超平坦表面を有し，且つ，面内・面外ともに結晶軸が揃った高密度3次元島を有する薄膜をバッファー層として用いることで，従来困難であった格子不整合率18%であるc面サファイア基板上への単結晶ZnO膜の作製に成功した．本研究では上記手法をSi(111)基板上に展開し，結晶性および表面平坦性に優れたZnO膜を形成することに成功したので報告する．