2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[7a-C17-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C17 (研修室2)

西中 浩之(京都工繊大)

11:00 〜 11:15

[7a-C17-8] 極性制御したZnO薄膜を用いたZnO/Si 接合の特性評価

大澤 健男1、山形 栄人2、石垣 隆正2、大橋 直樹1 (1.物材機構、2.法政大院)

キーワード:酸化亜鉛、光電子分光、極性

酸化亜鉛(ZnO) は、透明電極やLED 等の電子材料への応用が期待されている。ウルツ鉱型結晶であるZnO は、c 軸方向に極性を有しており、その極性制御は化学的応用、または電子デバイスへ適用する上で重要である。我々は、特性を左右する要因の1 つとして、ZnO 薄膜の極性に注目し、無添加ZnO 薄膜の極性が容易に制御可能であることを報告した。極性制御法の確立に加えて、電気特性や電子状態、欠陥状態について詳細に検討し、それらに関する極性依存性を見出したので報告する。