[7a-C18-1~9] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

△ [7a-C18-5] CoFe₂O₄/Pt/CoFe₂O₄サンドイッチ膜におけるスピンホール磁気抵抗効果

〇(M1)山本 匠¹、柳瀬 隆²、島田 敏宏²、長浜 太郎² (1.北大院総化、2.北大院工)

キーワード：スピンホール磁気抵抗効果

F/N/Fサンドイッチ膜ではF/N二層膜に比べてSMRが大きくなり、スピン拡散長を上回っても消えないと報告されている。本研究では、CoFe₂O₄/Pt/CoFe₂O₄サンドイッチ膜を作製し、電気特性の評価を行った。CoFe₂O₄(50 nm)/Pt(2 nm)/CoFe₂O₄(50 nm)のサンプルにおける磁気抵抗効果測定によりSMRで見られる磁場角度依存性が得られた。