[7a-C19-1~9] 【CS.8】6.5 & 7.6 Code-sharing session

△ [7a-C19-4] VLS growth of 3C-SiC films by alternating PLD of Si-based alloy and SiC

〇Naoki Sannodo¹, Asuka Osumi¹, Shingo Maruyama¹, Yuji Matsumoto¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:SiC, PLD

SiCはSiに比べ優れた半導体物性を有し，次世代のパワーデバイス材料として注目されている．結晶多形の１つである3C-SiCは，MOSFET等への応用が期待されているが，現在のSiC製造プロセスは2000℃を超えるため低温で安定な3C-SiC単結晶の育成は困難とされている． 一方で，PLD法で加熱した固体基板上にSiCを堆積することで3C-SiCがエピタキシャル成長することが報告されている．そこで本研究では，3C-SiC薄膜の高品質化を目的に， SiCとSi系合金フラックスの交互蒸着によるvapor-liquid-solid (VLS)法を用いて，α-Al₂O₃基板上にSiC薄膜を堆積し，VLS成長に及ぼす合金フラックスの影響を調査した．