[7a-C19-1~9] 【CS.8】6.5 表面物理・真空, 7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術

△ [7a-C19-5] グラフェン/SiC界面における電荷移動ダイナミクスの追跡

〇(DC)染谷 隆史¹、吹留 博一²、山本 達¹、遠藤 則史²、鈴木 剛¹、道前 翔矢¹、渡邊 真莉¹、山本 貴士¹、藤澤 正美¹、金井 輝人¹、石井 順久¹、飯盛 拓嗣¹、小森 文夫¹、板谷 治郎¹、岡崎 浩三¹、辛 埴¹、松田 巌¹ (1.東大物性研、2.東北大通研)

キーワード：グラフェン、SiC、光起電力効果

SiCを熱分解することで得られるグラフェンシートは、従来の半導体プロセス技術との親和性が高く、デバイス応用に適している。しかしながら、SiC基板上に成長させたグラフェンは、界面散乱による移動度低下が問題となっており、その解決に向けたグラフェン/SiC界面間の電荷移動に関する詳細な理解が求められている。本講演では時間分解光電子分光法によって得られた電荷移動ダイナミクスの観測結果とその詳細について議論する。