[7a-C24-1~10] 6.6 プローブ顕微鏡

[7a-C24-7] Si(111)-(7x7)表面上の位相境界における電気伝導評価

〇浜田 雅之¹、楊 鈜翔¹、長谷川 幸雄¹ (1.東大物性研)

キーワード：走査トンネルポテンショメトリー、表面電気伝導、Si(111)-(7x7)

走査トンネルポテンショメトリーは、試料表面に電流が流れている状態での電位分布を極めて高い電位分解能・空間分解能で描き出す手法である。我々は、超高真空対応の装置開発を進め、Si(111)-(7x7)上での電位分布測定に成功し、位相境界での電位変化の存在を初めて明らかにした。解析の結果、表面電流が、表面のステップの存在によって、ステップに沿った方向に流れていることを示唆する結果を得た。