[7a-PA4-1~6] 3.6 超高速・高強度レーザー

△ [7a-PA4-4] ナノチップにおける中赤外電場増強と光電子放出

〇(M2)竹内 健悟¹、水野 智也¹、金島 圭佑¹、金井 輝人¹、石井 順久¹、板谷 治郎¹ (1.東大物性研)

キーワード：ナノチップ、高電界電子放出、近接場

タングステンナノチップに中赤外光パルスを照射し、増強された光電界によって放出された光電子のスペクトル分布を測定した。中赤外パルスの波長を変化させた場合の光電子スペクトルの強度依存性を測定し、電場増強因子の波長依存性を実験的に調べ、時間領域差分法（FDTD法）に基づくシミュレーションとの比較を行った。その結果、長波長になるにしたがって、光電子スペクトルが広がり、電場増強因子が増大する事がわかった。