[7a-PA6-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

[7a-PA6-3] Investigation on Leakage Current of RF Sputtered BaTiO₃ High Dielectric Thin Film

〇Sou Maejima¹, Kaoru Yamashita¹, Minoru Noda¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:ferroelectric, barium titanate, sputtering

近年，電子部品の微細化・集積化がますます顕著になっており，特に電子機器の中核を担う積層セラミックコンデンサ(MLCC)の微細集積性は欠かせない。MLCCの発展を支える強・高誘電体材料の薄膜化技術の課題の一つとして薄膜化に伴うリーク電流の増大は致命的で考慮しなければならない。膜内部のリーク電流の増大の挙動や電気伝導自体について全容は未だ解明されていない点が多い。今回，我々はRFスパッタリング法を用いてMLCC構成高誘電体材料候補の一つであるBaTiO₃膜を新たな条件で製膜し，同膜の電気特性評価と挙動解明の考察を行った。