[7a-S21-1~7] 13.10 Compound solar cells

[7a-S21-1] Point defect properties of group-V elements doped Cd-rich CdTe single crystals

〇Akira Nagaoka^1,3, Manato Takeuchi², Kenji Yoshino², Michael Scarpulla³, Yoshitaro Nose¹ (1.Kyoto Univ., 2.Univ. of Miyazaki, 3.Univ. of Utah)

Keywords:Compound semiconductor, Compound solar cell, Single crystal

CdTeは、太陽電池に適したバンドギャップ値、大きな光吸収係数を持っており、現在変換効率22%を達成している。Cd-rich組成とV族ドーピングはライフタイムとキャリア濃度改善に必要な技術であるが基礎的な物性評価の報告が少ない現状がある。我々はこれまでCd溶媒を用いて良質なCd-rich CdTe単結晶成長に成功し、Asドーピングによりキャリア濃度10¹⁵-10¹⁷ cm^-3を達成している。本発表では、V族元素ドーピングしたCd-richサンプルを用いて電気的特性の観点から点欠陥特性と安定性について報告を行う。