[7a-S21-1~7] 13.10 Compound solar cells

△ [7a-S21-2] Effects of deposition conditions of CdS films in CdTe solar cells

〇Yasuyoshi Shiina¹, Shota Okamoto¹, Ryo Arai¹, Tamotsu Okamoto¹ (1.NIT, Kisarazu Col.)

Keywords:CdTe solar cells, II-VI compound semiconductor, CdS

CdTe太陽電池の窓層としてCdSが多く使用されている。CdSは、溶液成長 (CBD)法や有機金属気相成長(MOCVD)法を用いて成膜されている。また、CdSの成膜条件がCdSの結晶性などに大きく影響を与えると考えられる。今回、MOCVD法を用いてCdSを成膜し、成膜時の基板温度がCdTe太陽電池のI-V特性に及ぼす影響を調べ、検討を行った。CdSの基板温度が、450 ℃前後でリークパスが減少したために、漏れ電流が抑制され並列抵抗が増加し、変換効率の向上に繋がったと考えている。