[7a-S21-1~7] 13.10 化合物太陽電池

△ [7a-S21-7] ZnSnP₂太陽電池におけるバッファー層/光吸収層間のバンドアライメント

〇中塚 滋¹、明里 駿祐²、CHANTANA Jakapan²、峯元 高志²、野瀬 嘉太郎¹ (1.京大院工、2.立命館大)

キーワード：化合物半導体太陽電池、バンドアライメント

安価で安全な元素で構成されるII-IV-V₂ カルコパイライト型化合物ZnSnP₂ は1.6 eV 程度の直接遷移型バンドギャップを有し, 光吸収係数が可視光領域において10⁵ cm^-1 程度であることから新たな太陽電池材料として期待される. 本研究グループは, これまでにZnSnP₂バルク結晶を用いて変換効率2%を報告している. 今回の発表ではバッファー層/光吸収層間のバンドアライメントを行うことで変換効率3.4%を持つ太陽電池セル(Al/AZO/ZnO/CdZnS/ZnSnP₂/Cu)の作製に成功した.