[7p-A201-1~10] 転位研究の最前線 ～材料を越えた視点から見えてくるもの～

[7p-A201-4] X線トポグラフによるSiC基板の混合転位の評価

〇中居 克彦¹、永井 哲也¹、守分 秀一¹、野網 健悟¹、二木 登史郎¹ (1.日鉄住金テクノロジー)

キーワード：4H-SiC、貫通転位、X線トポグラフ

SiC基板中に存在する貫通混合転位をX線トポグラフ、TEMを用いて評価した。複数のgベクトルを用いたコントラスト消失条件から、<1-100>+<0001>のバーガースベクトルを持つ貫通混合転位の存在が確認された。