[7p-A201-1~10] 転位研究の最前線 ～材料を越えた視点から見えてくるもの～

[7p-A201-7] 多光子励起PL法によるGaN結晶の貫通転位の三次元イメージング

〇谷川 智之¹、大西 一生¹、松岡 隆志¹ (1.東北大金研)

キーワード：GaN、貫通転位、多光子励起フォトルミネッセンス

二光子励起フォトルミネッセンス法を用いて、GaN結晶中の貫通転位の三次元イメージングを試みた。波長700 nmのTi-Sapphireパルスレーザを励起光源としてGaN結晶に集光照射し、二光子励起過程を介して発光再結合した光を検出した。励起光はGaN試料に対し透過で、集光位置を掃引することで発光分布の三次元像を得ることができた。発光像は転位近傍で暗点もしくは暗線として観測され、貫通転位の三次元構造を非破壊で観察できることを示した。