[7p-A201-1~10] Frontier of the research in dislocations

[7p-A201-7] Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals using Multiphoton-Excitation Photoluminescence

〇Tomoyuki Tanikawa¹, Kazuki Ohnishi¹, Takashi Matsuoka¹ (1.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:GaN, Threading Dislocation, Multiphoton-Excitation Photoluminescence

二光子励起フォトルミネッセンス法を用いて、GaN結晶中の貫通転位の三次元イメージングを試みた。波長700 nmのTi-Sapphireパルスレーザを励起光源としてGaN結晶に集光照射し、二光子励起過程を介して発光再結合した光を検出した。励起光はGaN試料に対し透過で、集光位置を掃引することで発光分布の三次元像を得ることができた。発光像は転位近傍で暗点もしくは暗線として観測され、貫通転位の三次元構造を非破壊で観察できることを示した。