[7p-A201-1~10] Frontier of the research in dislocations

[7p-A201-9] Dislocations in SiC from a Perspective of Power Device Application

〇Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, dislocation, power device

SiCは次世代パワー半導体として注目され、パワーMOSFETとショットキー障壁ダイオードの実用化が始まった。現在、150 mm径の単結晶ウェハが市販され、この上のホモエピタキシャル成長層を用いて各種のデバイスが作製されている。しかしながら、SiCエピウェハには約3000 cm^-2の密度で転位が存在し、デバイスへの影響が懸念されている。本講演では、SiCのパワーデバイス応用を念頭に置きながら、転位の電気的性質やデバイス特性・信頼性への影響について概説する。