[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[7p-A202-11] 導電性AFMを用いた局所圧力印加によるV₂O₃薄膜の絶縁体化

〇坂井 穣¹、アリャビエワ ナタリア²、ヴォルフマン ジェローム¹、リムレット パトリス¹、リュイテール アントワーヌ¹、舟窪 浩³ (1.トゥール大GREMAN、2.パリ南大ISMO、3.東工大物質理工学院)

キーワード：V2O3、導電性AFM、圧力誘起相転移

c軸配向V₂O₃薄膜に導電性原子間力顕微鏡で局所圧力を加えて、その抵抗率を変調させることを試みた。超高真空下で室温にてV₂O₃膜に導電性探針を当て、応力を変化させながら電気特性を測定した。0.29 GPaの圧力印加でI-V特性はオーミックから非線形に変化した。規格化抵抗値は0.29 – 0.40 GPaの範囲で圧力に対して急激に増加し、V₂O₃のc軸の圧縮による金属–絶縁体相転移の進行が示唆された。