2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月7日(木) 13:15 〜 17:15 A202 (202)

矢嶋 赳彬(東大)、菅 大介(京大)

13:45 〜 14:00

[7p-A202-3] 走査型SQUID顕微鏡を用いたTb2Ir2O7薄膜のall-in-all-out反強磁性ドメインの可視化

小塚 裕介1、藤田 貴啓1、打田 正輝1、野島 勉2、塚﨑 敦2、松野 丈夫3、有馬 孝尚3,4、川﨑 雅司1,3 (1.東大院工、2.東北大金研、3.理研CEMS、4.東大新領域)

キーワード:イリジウム、スピン軌道相互作用、トポロジカル

パイロクロア型Ir酸化物(Ln2Ir2O7, Ln:希土類元素)は比較的強い電子相関とスピン軌道相互作用が共存するため、トポロジカルな電子状態を利用した新たな電子材料として研究されている。本研究では、Tb2Ir2O7薄膜の磁気ドメインを磁場中(~0.1T)冷却後に走査型SQUID顕微鏡を用いて観察することにより、安定化するドメインについて調べた。結果として、120KのIrの磁気転移点以上から磁場中冷却することで磁気ドメインを選択的に安定化できることを示した。