2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月7日(木) 13:15 〜 17:15 A202 (202)

矢嶋 赳彬(東大)、菅 大介(京大)

15:00 〜 15:15

[7p-A202-8] VO2金属絶縁体転移を用いたType-Ⅱニューロン素子の設計

矢嶋 赳彬1、西村 知紀1、鳥海 明1 (1.東大)

キーワード:ニューロン、金属絶縁体転移、リミットサイクル

ニューロン機能には出力の仕方に応じてtype Ⅰ と type Ⅱの2種類があり、従来の技術で後者を実現するためには複雑な回路設計を必要とすることが知られていた。本研究では、VO2が示す金属絶縁体転移に着目し、材料特性を利用することで簡便にtype Ⅱニューロン機能を実現できることを示した。